Моя заявка (0)

FF300R12KT4HOSA1, БТИЗ силовой модуль AG-62мм-1

FF300R12KT4HOSA1, БТИЗ силовой модуль AG-62мм-1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062570754
Артикул
FF300R12KT4HOSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT Silicon Modules
Packaging:
Tray
Вес, г
355
Цена по запросу
(от 21 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT Silicon Modules
Packaging:Tray
Вес, г355
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
КорпусModule
Manufacturer:Infineon
Package/Case:62 mm
Product Type:IGBT Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Chassis Mount
Part # Aliases:SP000370607 FF300R12KT4HOSA1
Product Category:IGBT Modules
Структураполумост
Number of Transistors2
Factory Pack Quantity:10
Pd - Power Dissipation:1.6 kW
Maximum Power Dissipation1.6 kW
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate-Emitter Leakage Current:400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Maximum Continuous Collector Current450 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.75 V
Continuous Collector Current at 25 C:450 A
Рабочая температура (Tj), °C+150(max)
Максимальный ток КЭ при 25°C, A450
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт1600

Техническая документация