FF225R17ME7B11BPSA1, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8012546214
Артикул: FF225R17ME7B11BPSA1
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г: 10
Корпус: Module
Структура: полумост
Number of Transistors: 2

Цена по запросу

(от 44 670 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модуль Infineon EconoDUAL™ 3 1700 В, 225 А с двойным модулем TRENCHSTOP™ IGBT7 с 7 диодами, управляемыми излучателем, NTC и контактной теxнологией PressFIT.

Технические параметры

Вес, г	10
Корпус	Module
Структура	полумост
Number of Transistors	2
Maximum Power Dissipation	20 mW
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
Maximum Continuous Collector Current	225 A
Рабочая температура (Tj), °C	175
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	225
Максимальное напряжение КЭ ,В	1700

Техническая документация

Техническая информацияpdf, 686 КБ