FF200R17KE4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002310917
- Артикул
- FF200R17KE4HOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- FFXR17K4H
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 30 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойной IGBT-модуль Infineon с быстрым IGBT4 и 4 диодами, управляемыми эмиттером. Оптимальные электрические xарактеристики
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | FFXR17K4H |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 330 |
| Technology: | Trench/Field Stop |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | Module |
| Part # Aliases: | FF200R17KE4 SP000713374 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Pd - Power Dissipation: | 1250 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1700 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.3 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 310 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Рабочая температура (Tj), °C | +150(max) |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 310 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1250 |