FF200R17KE3HOSA1, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
![FF200R17KE3HOSA1, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/813/DOC002813533.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8540030997
- Артикул
- FF200R17KE3HOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.34
- Корпус
- Module
- Product Range
- 62mm C
- IGBT Technology
- IGBT 3(Trench/Field Stop)
Цена по запросу
(от 35 990 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
- 62-миллиметровый модуль серии C с траншейным/полевым диодом IGBT3 и диодом, управляемым излучателем3
Технические параметры
| Вес, г | 0.34 |
| Корпус | Module |
| Product Range | 62mm C |
| IGBT Technology | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| IGBT Termination | Tab |
| Power Dissipation | 1.25kW |
| IGBT Configuration | Dual(Half Bridge) |
| Структура | полумост |
| Transistor Mounting | Panel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| DC Collector Current | 310A |
| Power Dissipation Pd | 1.25kW |
| Transistor Case Style | Module |
| Operating Temperature Max | 125°C |
| Junction Temperature Tj Max | 125°C |
| Continuous Collector Current | 310A |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7kV |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 1.7kV |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
| Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) | 2V |
| Рабочая температура (Tj), °C | 125 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 310 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1250 |