FF200R12KT4, IGBT модуль, 120А 1200В, Half-Bridge [AG-62MMHB.]
![FF200R12KT4, IGBT модуль, 120А 1200В, Half-Bridge [AG-62MMHB.]](https://static.epl-electro.ru/lib/433/DOC016433027.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000648156
- Артикул
- FF200R12KT4
- PartNumber
- FF200R12KT4HOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 306.5
- Корпус
- Module
- Структура
- полумост
- Рабочая температура (Tj), °C
- -40…+150
Цена по запросу
(от 6 531 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Технические параметры
| Вес, г | 306.5 |
| Корпус | Module |
| Структура | полумост |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 320 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1100 |