FF200R12KT3EHOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002233688
- Артикул
- FF200R12KT3EHOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Mounting
- Screw
- Packaging
- Tray
- Pin Count
- 7
Цена по запросу
(от 30 790 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный IGBT-модуль N-CH 1200V 295A 1050 Вт, 7-контактный, 62 мм, 1 лоток
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 7 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 335 |
| PCB changed | 7 |
| Part Status | NRND |
| Channel Type | N |
| Корпус | Module |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 61.4 |
| Package Length | 106.4 |
| Supplier Package | 62MM-1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1050 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 295 |
| Typical Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 295 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1050 |