Моя заявка (0)
FF200R12KE3, IGBT Modules 1200V 200A DUAL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004615362
Артикул
FF200R12KE3
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
Trenchstop IGBT3-E3
Product:
IGBT Silicon Modules
Pin Count
7
Цена по запросу
(от 28 230 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:Trenchstop IGBT3-E3
Product:IGBT Silicon Modules
Pin Count7
Packaging:Tray
Tradename:TRENCHSTOP
Вес, г340
Channel TypeN
Package Type62MM Module
Subcategory:IGBTs
КорпусAG-62MMHB
ConfigurationSeries
Manufacturer:Infineon
Mounting TypePanel Mount
Package/Case:IS5a(62 mm)-7
Product Type:IGBT Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Chassis Mount
Part # Aliases:SP000100735 FF200R12KE3HOSA1
Switching Speed1MHz
Product Category:IGBT Modules
Структураполумост
Pd - Power Dissipation:1050 W
Transistor ConfigurationSeries
Maximum Power Dissipation1050 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate-Emitter Leakage Current:400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V
Maximum Operating Temperature+125 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1200 V
Maximum Continuous Collector Current295 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C:295 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10
Рабочая температура (Tj), °C+150(max)
Максимальный ток КЭ при 25°C, A200
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт1050

Техническая документация