Модуль FF200R06KE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072162915
- Артикул
- FF200R06KE3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 340.2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 9 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 340.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | 62 mm |
| Part # Aliases: | SP000085283 FF200R06KE3HOSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 680 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 260 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 260 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 680 |