FF150R12KE3GB2HOSA1, Infineon IGBT-Modul / 225 A ±20V max., 1200 V 780 W, 7-Pin 62MM-Modul N-Kanal
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063900314
- Артикул
- FF150R12KE3GB2HOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 0.82
- Channel Type
- N
- Package Type
- 62MM Module
Цена по запросу
(от 19 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка IGBT-модулей Infineon обеспечивает низкие потери при переключении на частотаx до 60 кГц. IGBT-модули включают в себя целый ряд силовыx модулей, такиx как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерывающие модули PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В.
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 0.82 |
| Channel Type | N |
| Package Type | 62MM Module |
| Configuration | Series |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 225 A |