FF150R12KE3G, IGBT Modules 1200V 150A DUAL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005073850
- Артикул
- FF150R12KE3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- N
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 61.4 mm
- Height
- 30.5 mm
Цена по запросу
(от 25 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А
Технические параметры
| RoHS | N |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 61.4 mm |
| Height | 30.5 mm |
| Length | 106.4 mm |
| Product | IGBT Silicon Modules |
| Вес, г | 340 |
| Unit Weight | 12 oz |
| Manufacturer | Infineon |
| Корпус | Module |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | Screw |
| Package / Case | 62 mm |
| Part # Aliases | FF150R12KE3GHOSA1 SP000100740 |
| Product Category | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 |
| Pd - Power Dissipation | 780 W |
| Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 225 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+125 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 780 |