FF1500R12IE5PBPSA1, IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063928155
- Артикул
- FF1500R12IE5PBPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- Diode, Inverter
- Вес, г
- 330
- Корпус
- Module
- Продукт
- Diode Power Modules
Цена по запросу
(от 278 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретные полупроводниковые модули
Технические параметры
| Тип | Diode, Inverter |
| Вес, г | 330 |
| Корпус | Module |
| Продукт | Diode Power Modules |
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Время спада | 0.09 us |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current | 1.5кА |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 1.5кА |
| Время нарастания | 016 us |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | PrimePACK 3+B |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Vf - прямое напряжение | 1.95 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Другие названия товара № | SP002397954 |
| Id - непрерывный ток утечки | 1500 A |
| Размер фабричной упаковки | 3 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 900 |
| Максимальный ток удержания Ih | 150 mA |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Отпирающий ток управления - Igt | 150 mA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 0.51 us |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Типичное время задержки при включении | 0.26 us |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.8 V |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |