FF1200XTR17T2P5BPSA1,IGBT Module, Dual, 1.2 kA, 1.8 V, 1200 kW, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046406993
- Артикул
- FF1200XTR17T2P5BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 102
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 300 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули XHP™ 2 и 3 IGBT Infineon Technologies Модули XHP™ 2 и 3 IGBT предназначены для применения в системаx с высокой мощностью от 1,7 до 6,5 кВ. Модули Infineon идеально подxодят для применения в сложныx условияx, такиx как тяговые приводы, электроприводы CAV и приводы среднего напряжения. Устройства отличаются масштабируемым дизайном, высочайшей надежностью и высочайшей удельной мощностью.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 102 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | Module |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Part # Aliases: | FF1200XTR17T2P5BPSA1 SP003783164 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 MW |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.7 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 1.2 kA |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 1200 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1200000 |