FF100R12KS4, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 100А, 20мВт, EconoPACK2
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067801384
- Артикул
- FF100R12KS4
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 339
Цена по запросу
(от 14 010 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 339 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | EconoPACK2 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | 62 mm |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | 62 mm |
| Part # Aliases: | SP000100705 FF100R12KS4HOSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 780 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 150 A |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 20000 |