FD200R12KE3HOSA1, IGBT модуль 1200В, 200А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062552008
- Артикул
- FD200R12KE3HOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 340
- Package Type
- Module
- Mounting Type
- Panel Mount
- Power Dissipation
- 1.05кВт
Цена по запросу
(от 21 390 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FD200R12KE3, SP000083495
Технические параметры
| Вес, г | 340 |
| Package Type | Module |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Power Dissipation | 1.05кВт |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Maximum Power Dissipation | 1.05 kW |
| Continuous Collector Current | 295А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| DC Ток Коллектора | 295А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Конфигурация БТИЗ | Single Chopper |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Maximum Continuous Collector Current | 295 A |
| Рассеиваемая Мощность | 1.05кВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 200 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |