FB50R07W2E3C36BPSA1, IGBT Modules 650 V, 50 A PIM IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030671165
- Артикул
- FB50R07W2E3C36BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 335
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 7 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 335 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | Module |
| Part # Aliases: | FB50R07W2E3_C36 SP005572078 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Pd - Power Dissipation: | 20 mW |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.28 V |
| Рабочая температура (Tj), °C | +150(max) |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |