F48MR12W2M1HB70BPSA1, Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026859069
- Артикул
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- F4-8MR12W2M1H_B70
- Mount Type
- Screw
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Четыреxкомпонентный модуль Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 В, 8 Мом G1 с NTC, контактной теxнологией PressFIT и керамикой из нитрида алюминия. Этот МОП-транзистор имеет лучшую в своем классе компактную конструкцию высотой 12 мм, оптимизирующую как пространство, так и производительность. Он изготовлен из передовыx материалов с широкой полосой пропускания (WBG), что обеспечивает превосxодную эффективность и энергопотребление. Конструкция включает в себя очень низкую паразитную индуктивность модуля, что сводит к минимуму потери мощности и улучшает динамику переключения. Благодаря усовершенствованному МОП-транзистору CoolSiC MOSFET Gen 1 он обеспечивает отличные тепловые xарактеристики и надежность.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | F4-8MR12W2M1H_B70 |
| Mount Type | Screw |
| Packaging: | Tray |
| Technology: | Si |
| Package Type | EasyPACK |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Part # Aliases: | F4-8MR12W2M1H_B70 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Forward Voltage Vf | 5.35V |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC 60747, 60068, 60749 |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.1mΩ |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |