Моя заявка (0)

F411MR12W2M1HPB76BPSA1, Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V

F411MR12W2M1HPB76BPSA1, Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024359454
Артикул
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Brand:
Infineon Technologies
Series
F4-11MR12W2M1H_B70
Mount Type
Screw
Цена по запросу
(от 25 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Четыреxкомпонентный модуль Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET на 1200 В, 11 Мом G1 с NTC, предварительно нанесенным материалом для термоинтерфейса (TIM) и контактной теxнологией PressFIT. Этот МОП-транзистор имеет лучшую в своем классе компактную конструкцию высотой 12 мм, обеспечивающую оптимальную производительность при одновременной экономии места. В нем используются передовые материалы с широкой полосой пропускания, повышающие энергоэффективность и терморегулирование. Конструкция отличается очень низкой паразитной индуктивностью модуля, что снижает потери мощности и повышает скорость переключения.

Технические параметры

BrandInfineon
Brand:Infineon Technologies
SeriesF4-11MR12W2M1H_B70
Mount TypeScrew
Packaging:Tray
Вес, г1
Technology:Si
Product TypeMOSFET
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Infineon
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Part # Aliases:F4-11MR12W2M1HP_B76 SP005634740
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Forward Voltage Vf5.35V
Automotive StandardNo
Standards/Approvals60749, IEC 60747, 60068
Factory Pack Quantity:18
Maximum Power Dissipation Pd20mW
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-40°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs23 V
Maximum Drain Source Voltage Vds1200V
Maximum Continuous Drain Current Id60A
Maximum Drain Source Resistance Rds23.1mΩ

Техническая документация