F4-100R12KS4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 130A
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005073828
- Артикул
- F4-100R12KS4
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 301
Цена по запросу
(от 28 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 130A
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 301 |
| Длина | 122 mm |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Высота | 17 mm |
| Корпус | Module |
| Ширина | 62 mm |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 4-Pack |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | Econo 3 |
| Part # Aliases: | SP000100434 F4100R12KS4BOSA1 |
| Упаковка | Tray |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 660 W |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Quad |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 130 A |
| Другие названия товара № | F4100R12KS4BOSA1 SP000100434 |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 130 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 130 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |