F3L75R12W1H3_B27, IGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062727159
- Артикул
- F3L75R12W1H3_B27
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 24
- Корпус
- Module
- Продукт
- IGBT Silicon Modules
- Упаковка
- Tray
Цена по запросу
(от 10 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
| Вес, г | 24 |
| Корпус | Module |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | Clamp |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | EasyPack1B |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 275 W |
| Другие названия товара № | F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 24 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 45 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |