F3L150R12W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033002136
- Артикул
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.14
- Package Type
- Module
- Mounting Type
- Panel Mount
- Power Dissipation
- 500Вт
Цена по запросу
(от 30 140 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT-модуль Infineon имеет напряжение 1200 В переменного тока, постоянный коллекторный ток 75 А постоянного тока, 3-уровневый фазный IGBT-модуль с активным зажимом нейтральной точки 2, NTC, высокоскоростным IGBT H3 и теxнологией запрессовки контактов.
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Package Type | Module |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Power Dissipation | 500Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Continuous Collector Current | 75А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | IGBT 3 High Speed |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Конфигурация БТИЗ | Three level Inverter |
| Линейка Продукции | EasyPACK |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Рассеиваемая Мощность | 500Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |