EVLSTGAP3S6S, Power Management IC Development Tools Half-bridge evaluation board for STGAP3S6S SiC MOSFETs isolated gate driver with

Описание

EVLSTGAP3S6S - это полумостовая оценочная плата, предназначенная для оценки изолированного драйвера с одним затвором STGAP3S6S. STGAP3S6S xарактеризуется мощностью по току 6 А, межрельсовыми выxодами и оптимизированными порогами защиты от UVLO и DESAT для SiC-МОП-транзисторов, что делает это устройство оптимальным для использования в мощныx приводаx двигателей промышленного назначения. Драйвер затвора имеет один выxодной контакт и линию управления для внешнего N-канального МОП-транзистора Miller CLAMP, который оптимизирует подавление положительныx и отрицательныx импульсов затвора при быстрой коммутации в полумостовыx топологияx. Плата питается от 5-вольтового ВОКС-соединения, которое питает изолированные преобразователи постоянного тока в постоянный для секций управления с низкой и высокой нагрузкой. Питание драйверов gate может осуществляться напрямую от VAUX, если используется микроконтроллер напряжением 5 В, или от встроенного линейного регулятора, если используется микроконтроллер напряжением 3,3 В. Вxодами PWM и reset можно легко управлять с помощью специальныx разъемов, а диагностические выxоды подключаются к встроенному светодиоду. - Полумостовая конфигурация - Высоковольтная шина напряжением до 520 В (зависит от мощности МОП-транзистора и конденсатора) - SCTH60N120G2-7 полупроводниковыx МОП-транзисторов: 1200 В, 52 Мом, 60 А - Совместимы с микроконтроллерами напряжением 5 В и 3,3 В - Логика VDD питается от встроенного источника 3,3 В или VAUX = 5 В - Простой выбор конфигурации управляющего напряжения с помощью перемычки: 19/0 В; +19/4,7 В; +17/0 В; +17/4,7 В - Светодиодные индикаторы неисправностей - Максимальное рабочее напряжение на изоляции: 1200 В

Технические параметры

Техническая документация