Моя заявка (0)

ESDL2011PFCT5G, ESD Suppressor TVS Bi-Dir 1V 2-Pin X4-DFN T/R

ESDL2011PFCT5G, ESD Suppressor TVS Bi-Dir 1V 2-Pin X4-DFN T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002415796
Артикул
ESDL2011PFCT5G
Бренд
ON Semiconductor***
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
2
Вес, г
1
Rad Hardened
No
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Минимальный заказ: 380 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

TVS-диоды / устройства подавления электростатического разряда, ИНКАПСУЛИРОВАННЫЕ В DSN

Технические параметры

PackagingTape and Reel
Pin Count2
Вес, г1
Rad HardenedNo
КорпусX4-DFN
ConfigurationSingle
Direction TypeBi-Directional
Mounting StyleSurface Mount
Package / CaseX4-DFN
Leakage Current0.5
Suppressor TypeTVS
Working Voltage1
Clamping Voltage6
Capacitance Value0.2
Power Dissipation0.313(W)
Number of Elements1
Product Depth (mm)0.3(mm)
Product Height (mm)0.18(mm)
Product Length (mm)0.6(mm)
ПолярностьДвунаправленный
Тип выводовSMD/SMT
Тип продуктаESD Suppressors
ПодкатегорияTVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокDSN2-Case152AX
Cd - емкость диода0.17 pF
Operating Temperature Max Deg. C150C
Operating Temperature Min Deg. C-55C
Напряжение пробоя2.3 V
Категория продуктаДиоды для подавления переходных скачков напряжения
Количество Выводов2вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Рабочее напряжение1 V
Стиль Корпуса ДиодаDSN
Напряжение фиксации3.6 V
Размер фабричной упаковки10000
Iпи - пиковый импульсный ток4.5 A
Типовое рабочее напряжение1
Минимальная рабочая температура55 C
Pppm - пиковое рассеивание мощности313 mW
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальное пробивное напряжение6
Максимальное Фиксированное Напряжение6В
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте15 kV, + 15 kV
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре15 kV, + 15 kV

Техническая документация