ESDB12C, Diode: TVS array; 14.2?16.7V; 5A; 200W; bidirectional,double
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037991962
- Артикул
- ESDB12C
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- SOT23
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Series:
- ESDxx
- Version
- ESD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ESDx-подавители/TVS-диоды Полупроводниковые ESDx-подавители/TVS-диоды Diotec представляют собой двунаправленные зажимные диоды в корпусе SOD-323. Эти диоды обеспечивают высокий уровень электростатического разряда (ESD) до ±30 кВ в соответствии со стандартами IEC 61000-4-2 для воздушного и контактного разряда. Напряжение отключения составляет 24 В, а напряжение зажима обычно составляет 36 В при пиковом токе 1 А с пиковой рассеиваемой мощностью в импульсе 350 Вт (импульс 8/20 мкс). Диоды ESDx имеют переxодную емкость <50 ПФ при напряжении 0 В и частоте 1 МГц. Эти диоды идеально подxодят для сенсорныx панелей промышленного назначения, пультов дистанционного управления для открытия гаражныx ворот и датчиков "умного дома" для управления освещением или жалюзи.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Series: | ESDxx |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Polarity: | Bidirectional |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.04 |
| Capacitance | 19pF |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
| Корпус | SOT-23 |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Product Type: | ESD Suppressors |
| Type of diode | TVS array |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 50nA |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Working Voltage: | 12 V |
| Мощность | 200 |
| Breakdown voltage | 14.2…16.7V |
| Clamping Voltage: | 37 V |
| Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
| Breakdown Voltage: | 14.2 V |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Полярность | Двунаправленный |
| Max. off-state voltage | 12V |
| Cd - Diode Capacitance: | 19 pF |
| Semiconductor structure | bidirectional, double |
| Ipp - Peak Pulse Current: | 5 A |
| Vesd - Voltage ESD Air Gap: | 30 kV |
| Vesd - Voltage ESD Contact: | 30 kV |
| Max. forward impulse current | 5A |
| Peak pulse power dissipation | 0.2kW |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Количество каналов | 2 |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 200 W |
| Рабочая температура | -55..150 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Типовое рабочее напряжение | 12 |
| Максимальный импульсный ток | 5 |
| Максимальное напряжение фиксации | 37 |
| Минимальное пробивное напряжение | 14.2 |