Моя заявка (0)

ESD8104MUTAG, Диод TVS/ESD 4 В -55°C+125°C@(Tj) 11,4 В 0,3 пФ @ 1 МГц 16 А ненаправленный 3,3 В DFN-10(1x2,5) Устройства защиты от электрост

ESD8104MUTAG, Диод TVS/ESD 4 В -55°C+125°C@(Tj) 11,4 В 0,3 пФ @ 1 МГц 16 А ненаправленный 3,3 В DFN-10(1x2,5) Устройства защиты от электрост

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017595588
Артикул
ESD8104MUTAG
Бренд
ON Semiconductor***
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
10
Вес, г
0.04
Серия
ESD81
Цена по запросу
(от 34,18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения LOW CAP ESD PROTECTION

Технические параметры

PackagingTape and Reel
Pin Count10
Вес, г0.04
СерияESD81
Rad HardenedNo
КорпусDFN-10
ConfigurationQUAD COMMON ANODE
Direction TypeUni-Directional
Mounting StyleSurface Mount
Package / CaseUDFN
Leakage Current1
Suppressor TypeTVS
Working Voltage3.3
Clamping Voltage11.4(TYP)
Number of Elements4
Product Depth (mm)1(mm)
Product Height (mm)0.5(mm)
Product Length (mm)2.5(mm)
ПолярностьОднонаправленный
Тип выводовSMD/SMT
Тип продуктаESD Suppressors
КвалификацияAEC-Q100
ПодкатегорияTVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокUDFN-10
Cd - емкость диода0.47 pF
Operating Temperature Max Deg. C125C
Operating Temperature Min Deg. C-55C
Напряжение пробоя4 V
Категория продуктаПодавители ЭСР / диоды для подавления переходных с
Количество каналов4
Рабочее напряжение3.3 V
Напряжение фиксации11.4 V
Рабочая температура-55…+125
Размер фабричной упаковки3000
Iпи - пиковый импульсный ток16 A
Рабочее напряжение питания3.3 V
Типовое рабочее напряжение3.3
Максимальный импульсный ток16
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 125 C
Максимальное напряжение фиксации11.4
Минимальное пробивное напряжение4
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте15 kV
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре15 kV

Техническая документация