EM6K34T2CR, MOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025536939
- Артикул
- EM6K34T2CR
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Type
- 2 N-Channel
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 1.2 mm
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ, 50 В, SOT-563; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 200 мА; Напряжение источника стока Vds: 50 В; Сопротивление включения Rds(on): 1,6 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:4,5 В; Пороговое напряжение Vgs:800 мВ; Рассеиваемая мощность Pd: 150 МВт; Тип корпуса транзистора: SOT-563; Количество контактов: 6; Максимальная рабочая температура: -; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (15 января 2018 г.)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | 2 N-Channel |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 1.2 mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Height | 0.5 mm |
| Length | 1.6 mm |
| Series | EM6K34 |
| Fall Time | 43 ns, 43 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 8 ns, 8 ns |
| Fall Time: | 43 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.000289 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | EM6K34 |
| Transistor Type | 2 N-channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 2 N-Channel MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 120mW |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V, 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns, 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 26pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA, 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms, 1.6 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V, 50 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV, 300 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |