EGL41G-E3/96, Диод: импульсный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546839
- Артикул
- EGL41G-E3/96
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- DO213AB
- Type
- Fast Recovery Rectifiers
- Brand
- Vishay Semiconductors
- Type:
- Fast Recovery Rectifiers
Цена по запросу
(от 56 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Выпрямители Vishay ultrafast recovery обладают очень быстрым временем обратного восстановления - всего 15 нс - и высоким уровнем напряжения до 1500 В.
Технические параметры
| Case | DO213AB |
| Type | Fast Recovery Rectifiers |
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Type: | Fast Recovery Rectifiers |
| Brand: | Vishay General Semiconductor |
| Product | Rectifiers |
| Diameter | 2.67mm |
| Mounting | SMD |
| Product: | Rectifiers |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 2 |
| Вес, г | 0.13 |
| Subcategory | Diodes и Rectifiers |
| Load current | 1A |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | DO-213AB |
| Product Type | Rectifiers |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | MELF/DO-213AB |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | Rectifiers |
| Recovery Time | 50 ns |
| Type of diode | rectifying |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DO-213AB(GL41) |
| Recovery Time: | 50 ns |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 50µA |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DO-213AB(GL41) |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Product Category | Rectifiers |
| Max Surge Current | 30 A |
| Product Category: | Rectifiers |
| Termination Style | MELF |
| Max Surge Current: | 30 A |
| Termination Style: | MELF |
| Diode Configuration | Single |
| If - Forward Current | 1 A |
| Ir - Reverse Current | 5 uA |
| Max. forward voltage | 1.25V |
| Vf - Forward Voltage | 1.25 V |
| Vr - Reverse Voltage | 400 V |
| Емкость, пФ | 12 |
| Factory Pack Quantity | 1500 |
| If - Forward Current: | 1 A |
| Ir - Reverse Current: | 5 uA |
| Reverse recovery time | 50ns |
| Vf - Forward Voltage: | 1.25 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 400 V |
| Max. off-state voltage | 0.4kV |
| Semiconductor structure | single diode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Max. forward impulse current | 30A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1.25V |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Рабочая температура PN-прехода (°С) | -55…+150 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 400 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 1 |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА) | 5 |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В) | 1 |