Моя заявка (0)

DS1230Y-120+, Микросхема памяти, NV SRAM, 32Кx8бит, 4,5-5,5В, 120нс, DIP28

DS1230Y-120+, Микросхема памяти, NV SRAM, 32Кx8бит, 4,5-5,5В, 120нс, DIP28

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062325768
Артикул
DS1230Y-120+
Бренд
Maxim Integrated Products
Width
18.8mm
Тип
NVSRAM
Pin Count
28
Вес, г
10.47
Цена по запросу
(от 9 755,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NVRAM 256k Энергонезависимая SRAM-память

Технические параметры

Width18.8mm
ТипNVSRAM
Pin Count28
Вес, г10.47
Длина39.12 mm
СерияDS1230Y
Memory Size256kbit
Organisation32K x 8 bit
Package TypeEDIP
Высота9.4 mm
Ширина18.8 mm
Mounting TypeThrough Hole
Data Bus Width8bit
Interface TypeParallel
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Организация32 k x 8
Тип продуктаNVRAM
ПодкатегорияMemory Data Storage
Время доступа120 ns
Размер памяти256 kbit
Maximum Random Access Time120ns
ПроизводительMaxim Integrated
Тип интерфейсаParallel
Торговая маркаMaxim Integrated
Упаковка / блокEDIP-28
Maximum Operating Temperature+70 °C
Minimum Operating Temperature0 °C
Maximum Operating Supply Voltage5.5 V
Minimum Operating Supply Voltage4.5 V
Ширина шины данных8 bit
Категория продуктаNVRAM
Напряжение питания - мин.4.5 V
Другие названия товара №90-1230Y+120 DS1230Y
Напряжение питания - макс.5.5 V
Размер фабричной упаковки12
Рабочее напряжение питания5 V
Рабочий ток источника питания85 mA
Минимальная рабочая температура0 C
Максимальная рабочая температура+ 70 C

Техническая документация