Моя заявка (0)

DS1230AB-120IND+, Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8bit, 120ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-28

DS1230AB-120IND+, Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8bit, 120ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-28

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000564437
Артикул
DS1230AB-120IND+
Бренд
Analog Devices
Тип
NVSRAM
Вес, г
17.24
Длина
39.12 mm
Серия
DS12
Цена по запросу
(от 12 060 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NVRAM 256k Энергонезависимая SRAM-память

Технические параметры

ТипNVSRAM
Вес, г17.24
Длина39.12 mm
СерияDS12
Высота9.4 mm
Ширина18.8 mm
УпаковкаTube
Интерфейсparallel
Тип памятиNVSRAM
Вид монтажаThrough Hole
Организация32 k x 8
Объем памяти256Кбит
Тип продуктаNVRAM
ПодкатегорияMemory Data Storage
Время доступа120 ns
Размер Памяти256Кбит
ПроизводительMaxim Integrated
Тип интерфейсаParallel
Торговая маркаMaxim Integrated
Упаковка / блокEDIP-28
Тип Интерфейса ИСПараллельный
Линейка Продукции-
Ширина шины данных8 bit
Категория продуктаNVRAM
Количество Выводов28вывод(-ов)
Организация Памяти32К x 8бит
Время доступа записи120нс
Время доступа чтения120нс
Напряжение питания, В4.75
Рабочая температура, °C-40…+85
Напряжение питания - мин.4.75 V
Другие названия товара №90-1230A+B2I DS1230AB
Напряжение питания - макс.5.25 V
Размер фабричной упаковки12
Рабочее напряжение питания5 V
Рабочий ток источника питания85 mA
Минимальное Напряжение Питания4.75В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиEDIP
Максимальное Напряжение Питания5.25В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура85°C
Максимальная тактовая частота (скорость)120нс

Техническая документация