Моя заявка (0)
Драйверы MOSFET и IGBT IRS4427STRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012199127
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
Low-Side
Brand:
Infineon/IR
Тип
Драйвер нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
Ток
источника питания(рабочий)-100 uA
Цена по запросу
(от 139 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Драйвер нижнего плеча сдвоенный SOIC-8

Технические параметры

Type:Low-Side
Brand:Infineon/IR
ТипДрайвер нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT
Токисточника питания(рабочий)-100 uA
PackageSOIC 8N
Series:IR(S)442X
Product:IGBT, MOSFET Gate Drivers
TopologyHalf Bridge
PackagingREEL
Pin Count8
Shutdown:No Shutdown
AutomotiveNO
Fall Time:25 ns
Rise Time:25 ns
Tradename:EiceDRIVER
Вес, г0.3
Logic Type:CMOS
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Package TypeSOIC
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Корпусsoic8
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOIC-8
Product Type:Gate Drivers
Configuration:Non-Inverting
Mounting Style:SMD/SMT
Output Current:3.3 A
Output Voltage:6 V to 20 V
Part # Aliases:IRS4427STRPBF SP001543130
Мощностьрассеиваемая(max)-625 мВт
ОписаниеLow voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Number of Drivers1
Product Category:Gate Drivers
Number of Drivers:2 Driver
Number of Outputs:2 Output
Moisture Sensitive:Yes
Тип выходаCMOS, LSTTL
Количествоканалов-2
Напряжениепитания 6…20В
Supply Voltage - Max:20 V
Supply Voltage - Min:6 V
Pd - Power Dissipation:0.625 W
Выходной ток1.5 А
Propagation Delay - Max:95 ns
Operating Supply Current:100 uA
Maximum Turn-On Delay Time:50 ns
Maximum Turn-Off Delay Time:50 ns
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
кол-во в упаковке2500
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Диапазон рабочих температур-40…+125 °С
Напряжение высоковольтной части20
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*46*59/5000
MSL(Уровень чувствительности к влажности)2

Техническая документация