Драйверы MOSFET и IGBT IRFB9N65APBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025634392
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 10.41 mm
- Серия
- IRFB
- Высота
- 15.49 mm
Цена по запросу
(от 439,17 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 5,4А, 167Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | IRFB |
| Высота | 15.49 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 167 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 930 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |