Драйверы MOSFET и IGBT 2N7002
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025512598
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.4mm
- Height
- 1mm
- Length
- 3mm
Цена по запросу
(от 8,28 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 60 В, 300 МА, SOT-23-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 300 мА; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 2,8 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2 В; По
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.4mm |
| Height | 1mm |
| Length | 3mm |
| Тип | MOSFET |
| Product | MOSFET Small Signals |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Category | Power MOSFET |
| Enclosure | SOT-23 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 3 x 1.4 x 1mm |
| Power loss | 830 mW |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.14 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Nexperia |
| Max. current | 300 mA |
| Package Type | SOT-23 (TO-236AB) |
| Product Type | MOSFETs |
| max. Voltage | 60 V |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category | MOSFETs |
| Мощность | постоянная рассеиваемая(Pd)-800 мВт |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Емкость, пФ | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 830 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 830 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 31 pF@ 10 V |
| Тип проводимости | N |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5 Ohms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 830mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 300mA |
| Диапазон рабочих температур | -65…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 0.3 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*46*46/30000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 5000 |