Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 5.7 A, 7.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMC4040SSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8920205002
- Артикул
- DMC4040SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.95mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC4040
- Product:
- MOSFET Small Signal
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMC4040SSD-13 от компании DIODES INCORPORATED сочетает в себе высокую производительность и надежность. Устройство выполнено в удобном для монтажа SMD корпусе типа SO8, что обеспечивает его простую интеграцию в различные электронные схемы. Ток стока достигает 7,5 А, а напряжение сток-исток составляет 40 В, что позволяет использовать транзистор в мощных применениях. Мощность устройства равна 1,8 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,04 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь. Вид N+P-MOSFET говорит о комбинированной структуре, что делает этот транзистор универсальным решением для разнообразных задач. Код товара DMC4040SSD13 гарантирует легкость в поиске и заказе компонента в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 7.5 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.04 Корпус SO8
Технические параметры
| Width | 3.95mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC4040 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.3 ns, 30.9 ns |
| Rise Time: | 15.1 ns, 14.7 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 37.6 nC, 33.7 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.14 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33.7 nC @ 10 V, 37.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.1 ns, 6.9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.3 ns, 53.7 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12.6 S, 16.6 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ, 45 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.7 A, 7.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms, 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |