Диоды Шоттки SICRF101200
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002385488
- Бренд
- Sangdest Microelectronics
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Diode Type
- Silicon Carbide Schottky
- Вес, г
- 0.1
- Part Status
- Active
Цена по запросу
(от 1 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ДИОД ШОТТКИ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ S
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | SMC Diode Solutions |
| Корпус | ITO-220AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Capacitance @ Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
| Емкость, пФ | 640 |
| Supplier Device Package | ITO-220AC |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100ВµA @ 1200V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -55В°C ~ 175В°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 100 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.8 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |