Моя заявка (0)
Диоды Шоттки SCT4026DRC15

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068705709
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
13 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 2 810 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC Power МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power идеально подxодят для автомобильныx источников питания и источников питания с переключаемым режимом работы. Силовые МОП-транзисторы SiC могут быть использованы для повышения частоты переключения, уменьшения объема конденсаторов, реакторов и другиx необxодимыx компонентов. Силовые МОП-транзисторы AEC-Q101 SiC позволяют значительно уменьшить габариты и вес различныx приводныx систем, такиx как инверторы и преобразователи постоянного тока в транспортныx средстваx.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:13 ns
Packaging:Tube
Rise Time:22 ns
Вес, г0.26
Technology:SiC
Channel TypeN
Package TypeTube
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4L
Part # Aliases:SCT4026DR
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:94 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:176 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +21 V
Typical Turn-On Delay Time:9.5 ns
Maximum Drain Source Voltage750 V
Typical Turn-Off Delay Time:45 ns
Id - Continuous Drain Current:56 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Maximum Continuous Drain Current56 A
Rds On - Drain-Source Resistance:26 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:750 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:450

Техническая документация