Диоды Шоттки FFSPF1065A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009143399
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Mounting
- Through Hole
- Rev Curr
- 200(uA)
- Packaging
- Rail/Tube
- Pin Count
- 2+Tab
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый ДИОД ШОТТКИ, 650 В, 10 А, TO-220FP; Ассортимент продукции: -; Конфигурация диода: Одиночный; Постоянное обратное напряжение Vrrm Max: 650 В; Постоянный прямой ток If: 10 А; Общий уровень заряда емкости: 34 Нс; Тип корпуса диода: TO-220FP; Количество контактов: 2; Максимальная температура соединения Tj: 175°C; Автомобильный квалификационный стандарт: -; SVHC: Без SVHC (15 января 2018 г.)
Технические параметры
| Mounting | Through Hole |
| Rev Curr | 200(uA) |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 2+Tab |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Package Type | TO-220F |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-220F |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Forward Current | 10000(mA) |
| Forward Voltage | 1.75(V) |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Peak Rep Rev Volt | 650(V) |
| Product Depth (mm) | 4.7(mm) |
| Diode Configuration | Single |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Peak Forward Voltage | 1.75(V) |
| Peak Reverse Current | 200(uA) |
| Average Forward Current | 10А |
| Maximum Forward Current | 10000(mA) |
| Power Dissipation (Max) | 38000(mW) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
| Peak Non-Repetitive Surge Current | 56(A) |
| Maximum Continuous Forward Current | 10A |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220FP |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 720A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 34нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.75 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |