DGD2106MS8-13, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600?290mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543856
- Артикул
- DGD2106MS8-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Fall Time
- 35ns
- Load Type
- IGBT;MOSFET
- Rise Time
- 100ns
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 69,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полумост 2 290 мА 100 нс 35 нс 10 В ~ 20 В 600 мА Микросxемы привода затвора SO-8 ROHS
Технические параметры
| Fall Time | 35ns |
| Load Type | IGBT;MOSFET |
| Rise Time | 100ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Supply Voltage | 10V~20V |
| IC Case / Package | SOIC |
| Number of Drivers | 2 |
| Тип входа | Logic |
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃@(Ta) |
| Peak Output Current(sink) | 600mA |
| Peak Output Current(source) | 290mA |
| Задержка Выхода | 100нс |
| Задержка по Входу | 100нс |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 2канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Тип переключателя питания | MOSFET |
| Минимальное Напряжение Питания | 10В |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |