DF200R12KE3, IGBT Modules 1200V 200A DUAL
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004615357
- Артикул
- DF200R12KE3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- IGBT3-E3
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 27 830 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | IGBT3-E3 |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 335 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | IS5a(62 mm)-5 |
| Part # Aliases: | SP000100741 DF200R12KE3HOSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Pd - Power Dissipation: | 1040 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 200 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 200 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |