Моя заявка (0)

DF100R07W1H5FPB54BPSA2, IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module

DF100R07W1H5FPB54BPSA2, IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060402702
Артикул
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Input
Standard
Series
EasyPACKв„ў ->
Цена по запросу
(от 6 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
InputStandard
SeriesEasyPACKв„ў ->
PackageTray
IGBT TypeTrench Field Stop
Вес, г335
СерияTrenchstop 5 H5
Power - Max20mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусModule
Configuration2 Independent
Mounting TypeChassis Mount
NTC ThermistorYes
Package / CaseModule
ПродуктIGBT Silicon Carbide Modules
УпаковкаTray
Base Product NumberDF100R07 ->
ТехнологияSiC
Operating Temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаPress Fit
Выводы БТИЗPress Fit
Supplier Device PackageModule
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.55V @ 15V, 25A
Тип продуктаIGBT Modules
КонфигурацияDual
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокModule
Continuous Collector Current50А
Collector Emitter Voltage Max650В
Технология БТИЗTrench Stop 5 H5/CoolSiC
Current - Collector (Ic) (Max)40A
DC Ток Коллектора50А
Input Capacitance (Cies) @ Vce2.8nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)40ВµA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Конфигурация БТИЗDual(Half Bridge)
Линейка ПродукцииEasyPACK TRENCHSTOP
Категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
Монтаж транзистораPanel
Collector Emitter Saturation Voltage1.35В
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Pd - рассеивание мощности20 mW
Другие названия товара №DF100R07W1H5FP_B54 SP001650156
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP EasyPACK CoolSIC
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Размер фабричной упаковки30
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Максимальный ток КЭ при 25°C, A100
Максимальное напряжение КЭ ,В650
Напряжение Коллектор-Эмиттер650В
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C40 A
Максимальная Температура Перехода Tj150°C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.35 V
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.35В

Техническая документация