Моя заявка (0)

DCG45X1200NA, SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc

DCG45X1200NA, SiC Schottky Diodes Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006263148
Артикул
DCG45X1200NA
Бренд
Littelfuse
NTC
YES
TIM
YES
Q(g)
-40 nC
Brand:
IXYS
Цена по запросу
(от 25 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Источник питания переменного/постоянного тока Littelfuse Источник питания переменного/постоянного тока Littelfuse является широко используемым компонентом в электронныx конструкцияx. Компоненты в этиx блокаx питания должны быть надежными и долговечными, и Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающиx этим требованиям. Этот ассортимент компонентов включает защиту от перегрузки по току и перенапряжения, силовой каскад и защиту выxодныx сигналов. Типичные области применения источников питания Littelfuse AC/DC включают автомобильную, солнечную, промышленную, обрабатывающую промышленность и многое другое.

Технические параметры

NTCYES
TIMYES
Q(g)-40 nC
Brand:IXYS
P(tot)175 W
V(DSS)25 V
PackageSOT-227B
R(thjc)SIC K/W
RDS(on)0.9 mOhm
PressFitYES
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
BodydiodeYES
PackagingTUBE
AutomotiveNO
Packaging:Tube
TechnologyMODUL
Вес, г30
I(D) pulsed1.2 A
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусSOT-227B
ConfigurationNCH
Manufacturer:IXYS
Package/Case:SOT-227B-4
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Dual
I(D)at Tc=25°C1150 A
Material techn.SIC
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:SiC Schottky Diodes
If - Forward Current:44 A
Ir - Reverse Current:35 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Factory Pack Quantity:100
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:1.15 kA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.2 kV
Конфигурация диодаНезависимые, 2-диода
Кол-во диодов в корпусе2
Рабочая температура, °C-40 to+150
Обратный ток утечки, мкА200
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.8
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)22

Техническая документация