Моя заявка (0)

DA108S1RL, ESD Suppressor Diode Array Uni-Dir 18V 8-Pin SO N T/R

DA108S1RL, ESD Suppressor Diode Array Uni-Dir 18V 8-Pin SO N T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001023586
Артикул
DA108S1RL
Бренд
STMicroelectronics
ECCN
EAR99
PPAP
No
Type
Diode Array
HTSUS
8541.10.0080
Цена по запросу
(от 81 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диодная матрица подавления электростатического разряда Uni-Dir 18V с 8-контактным разъемом SO N T/R

Технические параметры

ECCNEAR99
PPAPNo
TypeDiode Array
HTSUS8541.10.0080
SeriesDA1 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
СерияDA1
PCB changed8
Part StatusActive
RoHS StatusROHS3 Compliant
ApplicationsGeneral Purpose
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусSO-8
ConfigurationQuad
Mounting TypeSurface Mount
Package Width4(Max)
Direction TypeUni-Directional
Package / Case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
Package Length5(Max)
Supplier PackageSO N
Base Product NumberDA108 ->
ПолярностьОднонаправленный
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Power Line ProtectionNo
Standard Package NameSO
Тип выводовSMD/SMT
Other Related Documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM114/CL
Supplier Device Package8-SOIC
Unidirectional Channels4
Тип продуктаTVS Diodes
Reverse Standoff Voltage18В
ПодкатегорияTVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Supplier Temperature GradeIndustrial
Maximum Working Voltage (V)18
Number of Elements per Chip4
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокSO-8
Maximum Power Dissipation (mW)730
кол-во в упаковке2500
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Voltage - Reverse Standoff (Typ)15V
Линейка ПродукцииСерия DA1
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаДиоды для подавления переходных скачков напряжения
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов4
Рабочее напряжение18 V
Maximum Reverse Leakage Current (uA)2
Стиль Корпуса ДиодаSOIC
Vf - прямое напряжение1.2 V
Рассеиваемая Мощность730мВт
Pd - рассеивание мощности0.73 W
Размер фабричной упаковки2500
Iпи - пиковый импульсный ток12 A
Типовое рабочее напряжение15
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальное пробивное напряжение18
Полярность Ограничителя Бросков НапряженияОднонаправленный
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте8 kV
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре15 kV

Техническая документация