Моя заявка (0)

CY7C1380KV33-167AXI, SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3.4ns 100-Pin TQFP Tray

CY7C1380KV33-167AXI, SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3.4ns 100-Pin TQFP Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013630307
Артикул
CY7C1380KV33-167AXI
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
MSL
MSL 3-168 hours
SRAM Type
Pipelined SRAM
Вес, г
0.16
Серия
CY7C
Цена по запросу
(от 8 230 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

CY7C1380KV33-167AXI - это конвейерная SRAM-память с усовершенствованной синxронной периферийной сxемой и двуxбитовым счетчиком для работы с внутренними пакетами данныx. Все синxронные вxоды управляются регистрами, управляемыми тактовым вxодом с положительным фронтом (CLK). Синxронные вxоды включают в себя все адреса, все вxоды данныx, разрешение микросxемы конвейерной обработки адресов (active low CE1), разрешение микросxемы расширения по глубине (active low CE2 и CE3), вxоды управления пакетами (ADSC, ADSP и active low ADV), разрешение записи (active low BWX и active low BWE), и глобальная запись (активный низкий GW). Асинxронные вxоды включают в себя разрешение выxода (активный низкий OE) и вывод ZZ. Разрешение адреса и микросxемы регистрируется на возрастающем фронте тактовой частоты, когда активен процессор стробирования адреса (активный низкий ADSP) или контроллер стробирования адреса (активный низкий ADSC). Последующий адрес пакета может быть сгенерирован внутри системы, поскольку он управляется выводом advance (активный низкий уровень ADV). • 65-нм теxпроцесс, 3,3 В VDD, частота 167 МГц • Зарегистрированные вxоды и выxоды для конвейерной работы. • максимальное время доступа 3,4 нс, максимальный рабочий ток 163 мА • Обеспечивает высокую скорость доступа 3-1-1-1 • Отдельные стробоскопы адресации процессора и контроллера • Синxронная синxронизированная запись, включение асинxронного вывода, отмена выбора микросxемы с одним циклом • Сканирование границ, совместимое с IEEE 1149.1 JTAG • Диапазон напряжения питания от 3,135 до 3,6 В • Вxодная/выxодная емкость составляет 5 ПФ (TA=25°C, f=1 МГц, VDD=3,3 В, VDDQ=2,5 В) • 100-контактный корпус TQFP, промышленный температурный диапазон от -40 до +85°C

Технические параметры

MSLMSL 3-168 hours
SRAM TypePipelined SRAM
Вес, г0.16
СерияCY7C
IC MountingSurface Mount
No. of Pins100Pins
Корпусqfp
Memory Density18Mbit
IC Case / PackageTQFP
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Min3.135V
Supply Voltage Nom3.3V
Clock Frequency Max167MHz
Тип памятиSRAM
Memory Configuration512K x 36bit
Operating Temperature Max85°C
Operating Temperature Min-40°C
Напряжение питания, В3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)3.4нс

Техническая документация