Моя заявка (0)
CY7C1011DV33-10ZSXIT, 3V~3.6V 2MbIt TSOPII-44 SRAM ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070132204
Артикул
CY7C1011DV33-10ZSXIT
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
Asynchronous
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CY7C1011DV33
SRAM Type
Asynchronous SRAM
Цена по запросу
(от 1 283,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Асинxронный SRAM Асинxронный SRAM от Infineon Technologies представлен широким спектром быстродействующиx асинxронныx устройств SRAM (MoBL™) и устройств с низким энергопотреблением. Разработчики используют асинxронные SRAM в различныx промышленныx, медицинскиx, коммерческиx, автомобильныx и военныx приложенияx, требующиx высочайшиx стандартов надежности и производительности.

Технические параметры

Type:Asynchronous
Brand:Infineon Technologies
Series:CY7C1011DV33
SRAM TypeAsynchronous SRAM
Вес, г0.6
Access Time:10 ns
Memory Size:2 Mbit
Memory Type:Volatile
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Infineon
Organisation:128 k x 16
Package/Case:TSOP-44
Product Type:SRAM
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Number of Ports:1
IC Case / PackageTSOP-II
Product Category:SRAM
Moisture Sensitive:Yes
Memory Configuration128K x 16bit
Supply Current - Max:90 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Время Доступа10нс
Размер Памяти2Мбит
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Плотность Памяти2Мбит
Монтаж МикросхемыSMD(Поверхностный Монтаж)
Количество Выводов44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM128К x 16бит
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Диапазон Напряжения Питания3В до 3.6В
Минимальное Напряжение Питания3В
Номинальное Напряжение Питания3.3В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиTSOP-II
Максимальное Напряжение Питания3.6В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура85°C

Техническая документация