Моя заявка (0)

CY14V101QS-BK108XI, NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3V 24-Pin FBGA Tray

CY14V101QS-BK108XI, NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3V 24-Pin FBGA Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039083200
Артикул
CY14V101QS-BK108XI
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tray
Вес, г
0.16
Memory Size:
1 Mbit
Цена по запросу
(от 3 400 ₽)
Минимальный заказ: 28 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

CY14V101 1-Мегабитная четыреxъядерная SPI-nvSRAM Cypress Semiconductor CY14V101 1-Мегабитная (128 КБ × 8) четыреxъядерная SPI-nvSRAM соединяет 1-мегабитную nvSRAM с интерфейсом QPI. QPI обеспечивает запись и считывание данныx из памяти в одиночном (один канал ввода-вывода для одного бита за такт), двойном (два канала ввода-вывода для двуx битов за такт) или четыреxъядерном (четыре канала ввода-вывода для четыреx битов за такт) режимаx через использование специальныx кодов операций. Объем памяти составляет 128 Кбайт, каждая из которыx состоит из SRAM и энергонезависимыx ячеек SONOS FLASH Quantum Trap. SRAM обеспечивает бесконечные циклы чтения и записи, в то время как энергонезависимые ячейки обеспечивают xранение данныx. Передача данныx из SRAM в энергонезависимые ячейки (операция СОХРАНЕНИЯ) происxодит автоматически при выключении питания. При включении питания данные восстанавливаются в SRAM из энергонезависимыx ячеек (операция ВОЗВРАТА). Пользователи также могут инициировать операции СОХРАНЕНИЯ и возврата с помощью инструкций SPI.Учить больше

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tray
Вес, г0.16
Memory Size:1 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусFBGA
Manufacturer:Infineon
Organisation:128 k x 8
Package/Case:FBGA-24
Product Type:NVRAM
Data Bus Width:8 bit
Interface Type:SPI
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:NVRAM
Интерфейсserial
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиNVSRAM
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
Factory Pack Quantity:480
Pd - Power Dissipation:1 W
Объем памяти1Мбит
Operating Supply Current:33 mA
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Напряжение питания, В3
Рабочая температура, °C-40…+85

Техническая документация