CNY65B, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 100-200%
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025490714
- Артикул
- CNY65B
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Assembly
- THT
- Mounting
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Оптопара транзисторная CNY65B от производителя VISHAY – это высококачественный компонент, обеспечивающий эффективную изоляцию сигнала благодаря напряжению изоляции в 8 кВ. С одним каналом и временем включения/выключения всего 5 мкс, этот товар гарантирует быстродействие и надёжность в самых разнообразных областях применения. С возможностью работы при максимальном выходном напряжении 32В и CTR@If в диапазоне 100-200% при 10mA, CNY65B представляет собой идеальное решение для проектов, требующих точной и стабильной работы. Монтаж данного компонента осуществляется методом THT, что делает его удобным в использовании. Код для поиска: CNY65B, обеспечит быстрый доступ к необходимой информации о товаре в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 100-200%@10mA Вид выхода транзистор Кол-во каналов 1 Выходное напряжение макс., В 32 Время включения, мкс 5 Время выключения, мкс 5 Напряжение изоляции, кВ 8 Монтаж THT
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Assembly | THT |
| Mounting | Through Hole |
| Standard | DIN|EN|UL|VDE |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Enclosure | DIP-4 |
| Fall time | 2.7us |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 4 |
| Rise time | 2.4us |
| Automotive | No |
| Input Type | DC |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.9 |
| Output Type | DC |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Load Voltage | 32V |
| Manufacturer | Vishay Semiconductor Opto Division |
| Корпус | DIP-4 HV 600 mil |
| Mounting Type | Through Hole |
| Output Device | Transistor |
| Output Current | 50mA |
| Package / Case | 4-EDIP(0.300", 7.62mm) |
| Forward Voltage | 1.25V |
| Reverse Voltage | 5V |
| Standard Package | 30 |
| Supplier Package | PDIP |
| Isolation voltage | 13.9 kV |
| Number of Outputs | 1 |
| Input voltage type | DC |
| Number of Channels | 1 |
| Voltage - Isolation | 13900VDC |
| Vce Saturation (Max) | 300mV |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 85В°C |
| Standard Package Name | DIP |
| Isolation Voltage(rms) | 8.2kV |
| Rise / Fall Time (Typ) | 2.4Вµs, 2.7Вµs |
| Typical Fall Time (us) | 2.7 |
| Typical Rise Time (us) | 2.4 |
| Voltage - Output (Max) | 32V |
| Supplier Device Package | 4-DIP |
| Current - Output / Channel | 50mA |
| max. operating temperature | 85 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.6 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 5 |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Typical Forward Voltage (V) | 1.25 |
| Current Transfer Ratio (Max) | 200%@ 10mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100%@ 10mA |
| Maximum Forward Current (mA) | 75 |
| Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.25V |
| Turn On / Turn Off Time (Typ) | 5Вµs, 3Вµs |
| Maximum Collector Current (mA) | 50 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 75mA |
| Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 8200 |
| Maximum Current Transfer Ratio (%) | 200 |
| Minimum Current Transfer Ratio (%) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 32 |
| Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 300 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce(sat)@Ic,IF) | 300mV@1mA, 10mA |