Моя заявка (0)
CNY17F3SR2VM, Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, Surface Mount DIP, 6 Pins, 60 mA, 4.17 kV, 100 %

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8197851613
Артикул
CNY17F3SR2VM
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
6.6 mm
Цена по запросу
(от 107 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Оптопара транзисторная CNY17F3SR2VM от ONSEMI отличается высоким коэффициентом передачи тока CTR в диапазоне 160-320% при токе 10мА. С одноканальным выходом транзисторного типа, этот компонент предлагает максимальное выходное напряжение 100В, быстрые времена включения и выключения, составляющие 2 мкс и 3 мкс соответственно. Надежность обеспечивается напряжением изоляции 4.17 кВ. Монтаж выполнен в SMD-формате, что подходит для поверхностного монтажа на печатные платы. Применение данной модели CNY17F3SR2VM охватывает широкий спектр областей, включая связь, управление питанием и автоматизацию, благодаря её выдающимся характеристикам и надежности в работе. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 160-320%@10mA Вид выхода транзистор Кол-во каналов 1 Выходное напряжение макс., В 100 Время включения, мкс 2 Время выключения, мкс 3 Напряжение изоляции, кВ 4.17 Монтаж SMD

Технические параметры

PPAPNo
RoHSDetails
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width6.6 mm
Height3.53 mm
Length8.89 mm
SeriesCNY17F3M
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
StandardUL|VDE
ECCN (US)EAR99
Fall Time24 us
PackagingTape and Reel
Pin Count6
Rise Time6 us
AutomotiveNo
Input TypeDC
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.81
Длина8.89 mm
СерияCNY17F3M
Output TypeDC
PCB changed6
Part StatusActive
Unit Weight0.028572 oz
ManufacturerON Semiconductor
Высота3.53 mm
Ширина6.6 mm
Configuration1 Channel
Mounting TypeSurface Mount
Output DeviceTransistor
Package / CasePDIP-6 Gull Wing
Product CategoryTransistor Output Optocouplers
Supplier PackagePDIP SMD
Isolation Voltage7500 Vrms
Number of Channels1 Channel
Voltage - Isolation4170Vrms
Тип выходаNPN Phototransistor
If - Forward Current60 mA
Vce Saturation (Max)400mV
Vf - Forward Voltage1.65 V
Vr - Reverse Voltage6 V
Factory Pack Quantity1000
Operating Temperature-40°C ~ 100°C
Standard Package NameDIP
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада24 us
Current Transfer Ratio200%
Maximum Fall Time (us)24
Maximum Rise Time (us)6
Pd - Power Dissipation250 mW
Rise / Fall Time (Typ)4µs, 3.5µs(Max)
Voltage - Output (Max)70V
Supplier Device Package6-SMD
Тип продуктаTransistor Output Optocouplers
If - прямой ток60 mA
Конфигурация1 Channel
ПодкатегорияOptocouplers
Maximum Collector Current50 mA
Current - Output / Channel50mA
Maximum Forward Voltage (V)1.65
Maximum Reverse Voltage (V)6
Minimum Forward Voltage (V)1
Number of Channels per Chip1
Typical Forward Voltage (V)1.35
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокPDIP-6 Gull Wing
Current Transfer Ratio (Max)200%@ 10mA
Current Transfer Ratio (Min)100%@ 10mA
Maximum Forward Current (mA)60
Voltage - Forward (Vf) (Typ)1.35V
Maximum Operating Temperature+100 C
Minimum Operating Temperature-40 C
Turn On / Turn Off Time (Typ)2µs, 3µs
Maximum Collector Current (mA)50
Maximum Power Dissipation (mW)250
Current - DC Forward (If) (Max)60 mA
Время нарастания6 us
Minimum Isolation Voltage (Vrms)4170
Maximum Collector Emitter Voltage70 V
Maximum Current Transfer Ratio (%)200
Minimum Current Transfer Ratio (%)100
Maximum Operating Temperature (°C)100
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Категория продуктаТранзисторные выходные оптопары
Количество каналов1 Channel
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)70
Напряжение изоляции7500 Vrms
Vf - прямое напряжение1.65 V
Current Transfer Ratio Test Current (mA)10
Vr - обратное напряжение6 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage0.4 V
Pd - рассеивание мощности250 mW
Размер фабричной упаковки1000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)400
Коэффициент передачи по току200 %
Максимальный коллекторный ток50 mA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 100 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер70 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V

Техническая документация