Оптопара CNY17-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070005473
- Артикул
- CNY17-3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.40.80.00
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Brand
- Vishay Semiconductors
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 17 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Оптопара CNY17-3. Характеристики Обозначение: CNY17-3 Категория: Оптопары и изоляторы / Оптопары прочие Корпус: DIP-6 Масса: 0.5 г Производитель: Vishay Единица измерения: шт
Технические параметры
| HTS | 8541.40.80.00 |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Width | 6.5 mm |
| Height | 3.81 mm |
| Length | 8.7 mm |
| Series | CNY |
| EU RoHS | Compliant |
| Assembly | THT |
| Mounting | Through Hole |
| Standard | FIMKO|CQC|VDE|UL|DIN|BSI|EN|cUL |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Enclosure | DIP-6 |
| Fall Time | 14 us |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 3 us |
| Automotive | No |
| Input Type | DC |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.42 |
| Output Type | DC |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Vishay |
| Output Device | Transistor With Base |
| Package Width | 6.5(Max) |
| Mounting Style | Through Hole |
| Output current | 150 mA |
| Package / Case | DIP-6 |
| Package Height | 3.81(Max) |
| Package Length | 8.7(Max) |
| Product Category | Transistor Output Optocouplers |
| Supplier Package | PDIP |
| Isolation Voltage | 5000 Vrms |
| Number of Channels | 1 Channel |
| If - Forward Current | 60 mA |
| Vf - Forward Voltage | 1.65 V |
| Vr - Reverse Voltage | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Standard Package Name | DIP |
| Current Transfer Ratio | 200% |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Typical Fall Time (us) | 2 |
| Typical Rise Time (us) | 2 |
| Maximum Collector Current | 100 mA |
| max. operating temperature | 100 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.65 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 5 |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Typical Forward Voltage (V) | 1.25 |
| Maximum Forward Current (mA) | 60 |
| Maximum Operating Temperature | +100 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Выходной каскад | бипол.транз. |
| Maximum Collector Current (mA) | 100 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 5000 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 70 V |
| Maximum Current Transfer Ratio (%) | 200 |
| Minimum Current Transfer Ratio (%) | 100 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 70 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
| Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.4 V |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 400 |
| Диапазон рабочих температур, оС | -55…100 |
| Коэффициент передачи тока CTR,%, макс. | 200 |
| Максимальное напряжение изоляции,В | 5000 |
| Максимальный входной ток Iвх.макс.,мА | 60 |
| Максимальный выходной ток Iвых.макс.мА | 100 |
| Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В | 1.65 |
| Максимальное входное обратное напряжение Uвх.обр.макс.,В | 6 |