Моя заявка (0)

CAT25256VI-GT3, Микросхема памяти EEPROM SO8-150-1.27

CAT25256VI-GT3, Микросхема памяти EEPROM SO8-150-1.27

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017529632
Артикул
CAT25256VI-GT3
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
4 mm(Max)
Height
1.5 mm(Max)
Цена по запросу
(от 126,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

EEPROM, 256 КБИТ, 10 МГц, SPI, SOIC-8; Объем памяти:256 Кбит; Конфигурация памяти EEPROM:32 Кбит x 8 бит; Тип интерфейса памяти: Последовательный SPI; Тактовая частота: 10 МГц; Тип корпуса памяти: SOIC; Количество контактов: 8 контактов; Минимальное напряжение питания: 1,8 В; Максимальное напряжение питания: 5,5 В; Минимальная рабочая температура: -40°C; Максимальная рабочая температура: 85°C; Ассортимент продукции: 256-битная последовательная EEPROM SPI; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Тип интерфейса IC: Последовательный SPI

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width4 mm(Max)
Height1.5 mm(Max)
Length5 mm(Max)
SeriesCAT25256
PackagingReel
Pin Count8
Вес, г0.21
СерияCAT25256
Access Time75 ns
Memory Size256 kbit
ManufacturerON Semiconductor
Organisation32K x 8 bit
Organization32 k x 8
Package TypeSOIC
Корпусso8
Mounting TypeSurface Mount
Data Retention100 Year
Interface TypeSerial, 4-Wire, SDI, SPI
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOIC-8
Number of Words32K
Product CategoryEEPROM
Интерфейсspi
Automotive StandardAEC-Q100
Programming Voltage1.8 → 5.5V
Тип памятиEEPROM
Supply Current - Max4 mA
Supply Voltage - Max5.5 V
Supply Voltage - Min1.8 V
Factory Pack Quantity3000
Maximum Clock Frequency5 MHz
Number of Bits per Word8bit
Объем памяти256
Operating Supply Current4 mA
Operating Supply Voltage2.5 V, 3.3 V, 5 V
Maximum Random Access Time40ns
Maximum Operating Temperature+85 C
Minimum Operating Temperature-40 C
Maximum Operating Supply Voltage5.5 V
Minimum Operating Supply Voltage1.8 V
Напряжение питания, В1.8-5.5
Рабочая температура, °C-40…+85

Техническая документация