Моя заявка (0)
CAS530M12BM3, Discrete Semiconductor Modules 1200V, 530A SiC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018650714
Артикул
CAS530M12BM3
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Half Bridge
Brand:
Wolfspeed
Product:
SiC Modules
Packaging:
Bulk
Цена по запросу
(от 127 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

62-миллиметровые полумостовые модули из карбида кремния Wolfspeed 1200V и 1700V 62-миллиметровые полумостовые модули из карбида кремния (SiC) сочетают в себе системные преимущества SiC с надежной компоновкой и низкой индуктивностью. Полумостовые модули обеспечивают повышенную эффективность системы благодаря низким потерям при переключении и проводимости SiC. Эти силовые модули имеют внутреннюю компоновку с низкой индуктивностью, которая обеспечивает максимальное использование напряжения при минимальныx превышенияx и звонкаx. Полумостовые модули могут быть изготовлены из керамики из нитрида алюминия для снижения термического сопротивления при надежном согласовании CTE или керамики из нитрида кремния для поддержания максимальной температуры соединения.

Технические параметры

Type:Half Bridge
Brand:Wolfspeed
Product:SiC Modules
Packaging:Bulk
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:106.4 mm x 60.44 mm x 30.8 mm
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Transistor Polarity:N-Channel
Vf - Forward Voltage:2 V
Factory Pack Quantity:1
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:630 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.47 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V

Техническая документация