Моя заявка (0)
CAS350M12BM3, Discrete Semiconductor Modules 1200V, 350A SiC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018656353
Артикул
CAS350M12BM3
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Half-Bridge Module
Brand:
Wolfspeed
Product:
SiC Modules
Packaging:
Bulk
Цена по запросу
(от 112 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

62-миллиметровые полумостовые модули из цельного карбида кремния (SiC) Wolfspeed 62-миллиметровые полумостовые модули из цельного карбида кремния (SiC) сочетают в себе системные преимущества SiC с надежной компоновкой и низкой индуктивностью. Полумостовые модули обеспечивают повышенную эффективность системы благодаря низким потерям при переключении и проводимости SiC. Эти силовые модули имеют внутреннюю компоновку с низкой индуктивностью, которая обеспечивает максимальное использование напряжения при минимальныx превышенияx и звонкаx. Полумостовые модули имеют медную опорную плиту для обеспечения теплопроводности, а изоляторы из алюминия и нитрида кремния сводят к минимуму тепловое сопротивление.

Технические параметры

Type:Half-Bridge Module
Brand:Wolfspeed
Product:SiC Modules
Packaging:Bulk
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:106.4 mm x 60.44 mm x 30.8 mm
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Transistor Polarity:N-Channel
Vf - Forward Voltage:2 V
Factory Pack Quantity:1
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:417 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V

Техническая документация