Моя заявка (0)

CAB530M12BM3, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial

CAB530M12BM3, Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063700191
Артикул
CAB530M12BM3
Бренд
WOLFSPEED
Type:
Half-Bridge Module
Brand:
Wolfspeed
Product:
SiC Modules
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 135 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полумостовой модуль из карбида кремния CAB530M12BM3 Wolfspeed CAB530M12BM3, выполненный полностью из карбида кремния, имеет легкий и компактный форм-фактор и габаритные размеры 62 мм, что позволяет модернизировать систему. Модуль CAB530M12BM3 напряжением 1200 В, 530 А обеспечивает повышенную эффективность системы благодаря низким потерям при переключении и проводимости SiC. Полумостовой модуль Wolfspeed CAB530M12BM3, полностью выполненный из карбида кремния, поддерживает работу на сверxнизкиx частотаx с минимальными потерями и нулевым током отключения от МОП-транзистора.

Технические параметры

Type:Half-Bridge Module
Brand:Wolfspeed
Product:SiC Modules
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Discrete Semiconductor Modules
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:Module
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Factory Pack Quantity:1
Vgs - Gate-Source Voltage:-4 V, +15 V
Operating Temperature Range:-40 C to+125 C
Id - Continuous Drain Current:530 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.67 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V

Техническая документация